Section de l'interface d'entrée :
Il y a trois signaux dans la section d'entrée : VIN d'entrée 12 V CC, tension d'activation de fonctionnement ENB et signal de contrôle de courant du panneau DIM. Le VIN est fourni par l'adaptateur et la tension ENB est fournie par le MCU de la carte mère, avec une valeur de 0 ou 3 V. Lorsque ENB=0, l'onduleur ne fonctionne pas, tandis que lorsque ENB=3V, l'onduleur est en état de fonctionnement normal ; La tension DIM est fournie par la carte mère, avec une plage de 0 à 5 V. Différentes valeurs DIM sont renvoyées à la borne de rétroaction du contrôleur PWM, et le courant fourni par l'onduleur à la charge sera également différent. Plus la valeur DIM est petite, plus la
courant produit par l'onduleur.
Circuit de démarrage en tension :
Lorsque ENB est à un niveau élevé, produisez une haute tension pour éclairer les tubes de rétroéclairage du panneau.
Contrôleur PWM : il comprend les fonctions suivantes : tension de référence interne, amplificateur d'erreur, oscillateur et PWM, protection contre les surtensions, protection contre les sous-tensions, protection contre les courts-circuits et transistor de sortie.
Conversion CC :
Un circuit de conversion de tension est composé de transistors de commutation MOS et d'inductances de stockage d'énergie. L'impulsion d'entrée est amplifiée par un amplificateur push-pull pour amener le transistor MOS à effectuer des actions de commutation, de sorte que la tension continue charge et décharge l'inducteur, et que l'autre extrémité de l'inducteur puisse obtenir une tension alternative.
Circuit d'oscillation et de sortie LC :
Assurez-vous que la tension requise est de 1 600 V pour le démarrage de la lampe et réduisez la tension à 800 V après le démarrage de la lampe.
Retour de tension de sortie :
Lorsque la charge fonctionne, la tension d'échantillonnage de rétroaction joue un rôle dans la stabilisation de la tension de sortie d'Inventor.
Vous pouvez réellement l'imaginer. Les composants électroniques nécessitant des pôles positifs et négatifs, des résistances et des inductances ne sont généralement pas nécessaires. La possibilité de panne d'une diode est généralement due à une panne, tant que la tension est normale, il n'y a généralement pas de problème. Pour un transistor, il ne sera pas conducteur. Si les connexions positives et négatives du régulateur de tension sont inversées, celui-ci sera endommagé, mais certains circuits sont généralement protégés par la conduction unidirectionnelle des diodes. Dans les condensateurs, il existe une distinction entre le positif et le négatif, qui sont des condensateurs électrolytiques. Si les connexions positives et négatives
sont fortement inversées, le boîtier explosera.
The main component is the diode. Switching tube oscillating transformer. Sampling. Widening tube. There is also the principle of parametric switching circuits such as oscillating circuits, resistors, capacitors, etc. The selection of the main power components for inverters is crucial. Currently, the most commonly used power components include Darlington Power Transistors (BJTs), Power Field Effect Transistors (MOSFETs), Insulated Gate Transistors (IGBTs), and Turn Off Thyristors (GTOs). MOSFETs are more commonly used in small capacity and low voltage systems because they have lower on state voltage drop and higher switching frequency. IGBT modules are generally used in high voltage and large capacity systems because their on state resistance increases with increasing voltage. IGBTs have a significant advantage in medium capacity systems, while GTOs are generally used as power components in ultra large capacity (100KVA and above) systems.
Large components: Field effect transistors or IGBTs, transformers, capacitors, diodes, comparators, and main controllers such as 3525. AC-DC-AC inverter and rectification filtering.
The power level and accuracy are related to the complexity of the circuit.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), as a new type of power semiconductor field controlled self turn off device, combines the high-speed performance of power MOSFET with the low resistance of bipolar devices. It has the characteristics of high input impedance, low voltage control power consumption, simple control circuit, high voltage resistance, and large current tolerance, and has been widely used in various power conversions. At the same time, major semiconductor manufacturers are constantly developing IGBT technologies with high withstand voltage, high current, high speed, low saturation voltage drop, high reliability, and low cost, mainly using manufacturing processes below 1um, and making some new progress in research and development.
1. Principe de fonctionnement de l'onduleur entièrement contrôlé
Pour le circuit principal de l'onduleur à pont complet à sortie monophasée couramment utilisé, les composants CA utilisent les transistors IGBT Q11, Q12, Q13 et Q14. La conduction ou la coupure des transistors IGBT est contrôlée par modulation de largeur d'impulsion PWM.
Lorsque le circuit onduleur est connecté à une alimentation CC, Q11 et Q14 sont allumés en premier, et Q1 et Q13 sont éteints. Le courant sort du pôle positif de l'alimentation CC, passe par Q11, L ou la bobine primaire du transformateur illustré à la figure 1-2 et retourne au pôle négatif de l'alimentation en Q14. Une fois Q11 et Q14 éteints, Q12 et Q13 sont allumés et le courant circule du pôle positif de l'alimentation via Q13 et l'inductance de la bobine primaire du transformateur 2-1 vers Q12 et retourne au pôle négatif du alimentation. À ce stade, des ondes carrées alternées positives et négatives se sont formées sur la bobine primaire du transformateur. Grâce au contrôle PWM haute fréquence, deux paires de tubes IGBT alternent et se répètent, générant une tension alternative sur le transformateur. En raison de l'action du filtre LC AC, une tension alternative sinusoïdale est formée à la borne de sortie.
Lorsque Q11 et Q14 sont désactivés, afin de libérer l'énergie stockée, les diodes D11 et D12 sont connectées en parallèle à l'IGBT pour restituer l'énergie à l'alimentation CC.
Mots clés :
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